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Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung

Passivation of surface of semiconductor material, with or without natural oxide film, e.g. for solar cell, involves coating with solution containing polyfluorinated hydrocarbon with acid side groups and drying.
 
: Warta, W.; Biro, D.

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DE 1998-19857064 A: 19981210
DE 1998-19857064 A: 19981210
DE 19857064 C2: 20001102
H01L0021
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISE ()

Abstract
Bei einem Verfahren zum Passivieren der Oberflaeche eines Halbleitermaterials, das gegebenenfalls an seiner Oberflaeche natives Halbleiteroxid aufweist, wird auf die Oberflaeche des Halbleitermaterials eine Loesung aufgebracht, die in einem Loesungsmittel geloeste polyfluorierte Kohlenwasserstoffe mit wenigstens einer saueren Seitengruppe aufweist. Anschliessend wird die auf das Halbleitermaterial aufgebrachte Loesung bei niedrigen Temperaturen getrocknet. Bei der Anwendung des Verfahrens bleiben die Eigenschaften in dem von der Oberflaeche beabstandeten inneren Volumenbereich des Halbleitermaterials erhalten. Die nach dem Verfahren hergestellten Halbleiterelemente weisen eine geringe, zeitlich stabile und weitgehend von der Dichte in dem Halbleitermaterial generierter oder injizierter Ueberschussladungstraeger unabhaengige Rekombinationsrate auf.

 

DE 19857064 A UPAB: 20000823 NOVELTY - Passivation of the surface of a semiconductor material, optionally covered with natural semiconductor oxide, involves treating the surface with a passivating solution containing polyfluorinated hydrocarbon with acid side group(s) and drying. USE - The process is used for passivating a semiconductor element, especially a silicon semiconductor element, which is used in a semiconductor device, especially a solar cell. (all claimed). ADVANTAGE - The surface recombination velocity is small, stable and largely independent of the density of generated or injected excess charge carriers (electrons or holes). The process does not damage the semiconductor from and is simple, even on semiconductors with a natural oxide film.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-63570.html