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Title
Verfahren zur Herstellung von Photodetektoren
Date Issued
2000
Author(s)
Buchner, R.
Sax, M.
Patent No
1998-19838442
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Photodetektoren, bei dem ein Substrat bereitgestellt wird, das an der Vorderseite einen photoempfindlichen Bereich zwischen zwei elektrisch leitfaehigen Bereichen in lateraler Anordnung aufweist. Das Substrat wird mit einem Hilfssubstrat verbunden und anschliessend von der Rueckseite bis an oder nahe an die elektrisch leitfaehigen Bereiche geduennt. Weiterhin wird ein Traegersubstrat bereitgestellt, das die Leitbahnen fuer die Verdrahtung der elektrisch leitfaehigen Bereiche traegt. Das Traegersubstrat wird mit dem geduennten Substrat so verbunden, dass die elektrisch leitfaehigen Bereiche ueber den entsprechenden Leitbahnen liegen. Anschliessend werden das Hilfssubstrat entfernt und die elektrischen Verbindungen zwischen den Leitbahnen und den elektrisch leitfaehigen Bereichen hergestellt. Auf diese Weise kann ein Array von dicht liegenden Photodetektoren verwirklicht werden, die hinsichtlich der Pixeldichte nicht durch die Verdrahtung eingeschraenkt sind und sich fuer den Einsatz bei der dreidimensionalen Integration eignen.
DE 19838442 C UPAB: 20000531 NOVELTY - A photodetector production process, comprising back face bonding of a supported thinned photodetector wafer to a contact substrate having conductor lines and connection pads, is new. DETAILED DESCRIPTION - A photodetector production process comprises: (a) producing a substrate wafer (1) with a photosensitive region between two laterally spaced conductive regions (4, 5) on its front face; (b) bonding the wafer front face to an auxiliary support; (c) thinning the wafer back face down to (near) the conductive regions; (d) preparing a contact substrate having one or more contacting levels with conductor lines and connection areas for contacting the conductive regions (4, 5); (e) bonding the thinned wafer back face to the contact substrate such that the conductive regions lie above the connection areas; (f) removing the auxiliary support; and (g) producing electrical connections between the connection areas and the conductive regions. USE - For production of photodetectors, especially photodiode arrays useful in (magneto-)optical data storage (e.g. CD, DVD or MO drives), fiber-optical data transmission, image processing, pattern recognition and optical spectrometry. ADVANTAGE - The design facilitates wiring of a high density array without reduction of the optically active area or the pixel density and without attenuation of the incident radiation, the array being suitable for three-dimensional integration.
Language
de
Patenprio
DE 1998-19838442 A: 19980824