Fraunhofer-Gesellschaft

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Berechnung komplexer Halbleiter elektronischer Strukturen unter Nutzung von ANSYS-Resultaten in der mehrdimensionalen Devicesimulation

 
: Erlebach, A.; Kunze, D.; Richter, F.; Stephan, R.; Gajewski, H.

CAD-FEM GmbH, Grafing:
CAD-FEM Users' Meeting '93. Proceedings
Grafing, 1993
CAD-FEM Users' Meeting <1993, Bamberg>
German
Conference Paper
Fraunhofer IMS, Außenstelle Dresden ( IPMS) ()
diffusion; Halbleitertechnologie; Mikrosystemtechnik; MOS-FET; simulator

Abstract
Einem vorhandenen System von Prozeß- und Halbleitersimulatoren zugefügt, sollen die Möglichkeiten von ANSYS bei der Simulation sensorischer bzw. aktorischer Wirkprinzipien nutzbar gemacht werden. Ziel ist es, eine umfassende Kopplung zum Austausch und zur Weiterverarbeitung von Simulationsresultaten in beiden Richtungen zu erreichen. In einem ersten Beispiel wird der Einfluß statischer und transienter Verformungen auf die elektrischen Eigenschaften eines MOS-Transistors mit schwingendem Gate betrachtet. Dabei gehen die mechanischen Auslenkungen über Randbedingungen für das in ToSCA implementierte System der Halbleitergleichungen ein. Zum anderen wird mit ANSYS die Diffusion von Dotanten im Niedrigkonzentrationsbereich in einer Temperaturfeldanalogie simuliert. Die Störstellenverteilung nach der Diffusion wird in den 3d-Devicesimulator SIMBA übernommen. Als Resultat erhält man elektrische Charakteristiken für verschiedene Strukturarten.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-6081.html