Fraunhofer-Gesellschaft

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Die Bedeutung der GaAlAs-Schicht für die GaAs-Solarzelle

 
: Nguyen, T.; Lutz, F.; Bett, A.W.

Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft (1988), No.6, pp.42
ISSN: 0420-0195
ISSN: 0372-5448
German
Journal Article
Fraunhofer ISE ()

Abstract
Für die GaAs-Solarzelle, deren Schichtstruktur durch einen isothermen Epitaxieprozeß hergestellt wird, sind die Schichtdicke und die Al-Konzentration (Lage der Bandkante) der GaAlAs-Fensterschicht wichtige Parameter für die Höhe des Wirkungsgrades. Ein theoretisches Modell erlaubt die Variation dieser Parameter. Vergleichend zu diesem Modell wurde an Solarzellen mit unterschiedlichen dicken Fensterschichten die spektrale Empfindlichkeit gemessen. Zellen mit einer Schichtdicke der GaAlAs-Schicht von gleich oder kleiner als 0,1 mym und einer Al-Konzentration von 90% werden durch EBIC, Dunkelstromkennlinien (für Rs und Rp) und Messung des Wirkungsgrades (derzeit bis 12,5%; mit AR bis 17%, Fläche = 1,3 qcm) carakterisiert.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-5783.html