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1988
Journal Article
Titel
Bearbeitungseigenspannungen in Siliciumcarbid
Abstract
Die Untersuchungen befassen sich mit der röntgenographischen Ermittlung und Interpretation von Bearbeitungseigenspannungen in SiC und siliciuminfiltriertem SiC. Nach einer kurzen Einführung in die Methode der röntgenographischen Eigenspannungsanalyse wird für die Bearbeitungsmethoden Funkenerosion, Gleich- und Gegenlaufschleifen die Abhängigkeit der Oberflächeneigenspannungen und Versetzungsdichten von den Verfahrensparametern ermittelt. Die Ergebnisse werden mit den Einflußgrößen der Bearbeitungsverfahren in Zusammenhang gebracht, die Wirkung der Eigenspannungen auf die Biegefestigkeit der bearbeiteten Werkstoffe wird diskutiert. (IWM)