Fraunhofer-Gesellschaft

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Physikalische Grundlagen und Realisierung eines Heterobipolartransistors und Tunnel-Emitter-Bipolar-Transistors im Materialsystem Ga0.5In0.5P/GaAs

 
: Lauterbach, T.

Erlangen-Nürnberg, 1992, 107 pp.
Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 1992
German
Dissertation
Fraunhofer IAF ()
GaAs; GaInP; Heterobipolartransistor; metallorganische Gasphasenepitaxie; MOCVD; ZBT

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-54438.html