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Hochdosisimplantation von Stickstoff in Silizium - Eine Technik zur Erzeugung von dielektrisch isolierten CMOS-Bauelementen mit hoher Integrationsdichte

 
: Vogt, H.

Düsseldorf: VDI-Verlag, 1986
Fortschritt-Berichte VDI, Reihe 9: Elektronik
ISBN: 3-18-146409-0
German
Book
Fraunhofer IMS ()
CMOS-Bauelement(dielektrisch isloliert); Erzeugung; Hochdosisimplantation; Integrationsdichte(hoch); Silizium; Stickstoff; Technik

Abstract
In dieser Arbeit wird die Hochdosisimplantation von Stickstoff in einkristallines Silizium genutzt, einen vergrabenen Nitrid-Isolator zu erzeugen. Unter geeigneten Implantationsbedingungen entsteht nach einer Temperung eine duenne einkristalline Siliziumschicht an der Oberflaeche, isoliert vom Substrat durch das vergrabene Nitrit. Prozesse zur Herstellung von Bauelementen in dieser Schicht werden beschrieben, elektrische Messverfahren zur Charakterisierung der Schichten und Bauelemente vorgestellt. Komplementaere MOS-Transistoren zeigen keine parasitaeren Effekte wie Latch-Up, da sie allseitig dielektrisch isoliert sind. (IMS)

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-49174.html