• English
  • Deutsch
  • Log In
    Password Login
    Research Outputs
    Fundings & Projects
    Researchers
    Institutes
    Statistics
Repository logo
Fraunhofer-Gesellschaft
  1. Home
  2. Fraunhofer-Gesellschaft
  3. Abschlussarbeit
  4. Gassensoren auf der Basis von Feldeffekttransistoren mit Heteropolysiloxanschichten
 
  • Details
  • Full
Options
1991
Doctoral Thesis
Title

Gassensoren auf der Basis von Feldeffekttransistoren mit Heteropolysiloxanschichten

Abstract
Miniaturisierte Chemosensoren gewinnen immer mehr an Bedeutung in Forschung und Entwicklung. Im Rahmen dieser Arbeit werden Feldeffekttransistoren als ein Beispiel für kapazitive Gassensoren untersucht. Als gassensitives Dielektrikur.. werden Heteropolysiloxane eingesetzt. Die Feldeffekttransistoren besitzen einen Gateisolator, der zum Teil offen liegt und zum Teil mit einer mäanderförmigen Gateelektrode bedeckt ist. Auf dem offenen Gateisolator befindet sich nach dem Aufschleudern die Heteropolysiloxanschicht. Diese adsorbiert je nach Art der verwendeten Ausgangssilane Gase wie Schwefeldioxid, Ammoniak und Stickstoffdioxid und ändert ihre Permittivität als Folge der Gasadsorption. Messungen in Schwefeldioxid, Ammoniak und Stickstoffdioxid zeigen ein Ansprechen der Sensoren sowohl bei Gleichspannung als auch bei Rechteckspannung. Bei Rechteckspannungen zeigen Feldeffekttransistoren mit allen Schichten einen Anstieg und einen Abfall des Drainstromes, der durch eine Auf- und Entladung de s offenen Gatebereiches erklärt werden kann.
Thesis Note
München, TU, Diss., 1991
Author(s)
Drost, S.
Publishing Place
München
Language
German
IFT  
Keyword(s)
  • chemical sensor

  • CO2

  • dielectric layer

  • dielektrische Schicht

  • gassensor

  • heteropolysiloxane

  • MOSFET

  • NH3

  • NO2

  • thermischer Sensor

  • Cookie settings
  • Imprint
  • Privacy policy
  • Api
  • Contact
© 2024