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1996
Doctoral Thesis
Titel
Entwicklung schneller integrierter thermischer Strömungssensoren in Siliziumtechnologie für Flüssigkeit und Gase
Abstract
Die Herstellung von Sensoren mit Hilfe der CMOS-Technologie nacht neben einer kostengünstigen Massenproduktion der Sensoren auch die On-chip-Integration von gemischt digital/analoger Ausleseelektronik möglich. Diese Arbeit befaßt sich mit der Entwicklung von Strömungssensoren mit integrierter Ausleseelekrtronik in CMOS-kompatibler Siliziumtechnologie. Die realisierten Sensoren basieren auf dem Prinzip des Heißfilmanemometers. Sie besitzen eine mit einem Rückseitenätzverfahren hergestellte Silizium-Membran mit einer Dicke von 5 mu m. Die Membran kann mit Hilfe eines Polysiliziumwiderstandes beheizt werden. Die Membran und die Umgebungstemperatur werden mit Hilfe von Dioden gemessen. Messungen des dynamischen Verhaltens zeigen z.B. t90-Ansprechzeiten der Sensoren in Flüssigkeiten unter 10 mu s. Meßbereich und Querempfindlichkeiten werden untersucht. Das vorgestellte Modell erlaubt eine entsprechende Auslegung des Strömungssensors für verschiedene Anwendungen, wie z.B. in der Dosiertechni k.
ThesisNote
Zugl.: Duisburg, Univ., Diss., 1995