Entwicklung eines CMOS-kompatiblen Smart-Power-Prozesses zur Herstellung intelligenter Leistungshalbleiter auf SIMOX-Substraten

In der vorliegenden Arbeit wird ein Prozeß zur Herstellung "intelligenter" Leistungshalbleiter beschrieben. Durch die Verknüpfung der unterschiedlichen Fertigungsprozesse zur Herstellung diskreter Leistungstransistoren und CMOS-Schaltungen auf einem SIMOX-Substrat besteht die Möglichkeit, einen vertikalen Leistungstransistor gemeinsam mit einer dielektrisch isolierten Ansteuerschaltung monolithisch auf einem Chip zu integrieren. Anwendung findet diese neue Technologie bei der Herstellung eines "intelligenten" Leistungsschalters in einem netzbetriebenen, dreiphasigen Frequenzumrichter zur Steuerung von Drehstromasynchronmaschinen, in einer Phasenabschnittsteuerung einer netzbetriebenen Helligkeitsregelung und im Automobilbereich zur Steuerung der Armaturenbrettbeleuchtung. Weiterhin werden spezifische Eigenschaften der SOI-Bauelemente untersucht und Lösungsmöglichkeiten zur Eliminierung unerwünschter Effekte vorgeschlagen.