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1990
Conference Proceeding
Titel
Charakterisierung von Bulk-Punktdefekten in Si MOS-FET Strukturen mittels conductance-DLTS
Abstract
Zinnoxid ist ein bei Gassensorentwicklungen häufig verwendetes Material. Gasempfindliche und nicht-gasempfindliche Schichten konnten durch die Wahl der Parameter bei den reaktiven Sputtern und Tempern hergestellt werden und erlauben Rückschlüsse auf die Ursache der Gasempfindlichkeit und der mangelhaften Stabilität.
Language
German