Zuverlässigkeit von Bipolartransistoren in BiCMOS-Technologien

Aufbauend auf einer im IMS erstellten Literaturstudie wurden die wesentlichen Degradationsphänomene bei Bipolartransistoren aufgezeigt. Nach Darstellung der Meßmethodik wurde demonstriert, wie man zu Zuverlässigkeitsaussagen kommt. Die Umsetzung in ein automatisiertes Meß- und Auswerteprogramm wurde durchgeführt und an einigen Transistoren des Projektpartners erprobt.