Wolframmetallisierung zum Einsatz bei hohen Temperaturen

Eine CMOS-Technologie auf SIMOX-Substraten ermöglicht eine Schaltungsfunktion bis zu einer Temperatur von 300øC. Dieser Temperaturbereich macht die Entwicklung eines temperaturstabilen Metallisierungssystems erforderlich. Eine solche 2-Lagen-Metallisierung auf der Basis von Wolfram wurde für den bestehenden SOI-CMOS-Prozeß entwickelt. Die Zuverlässigkeit der Wolframleiterbahnen wurde bis zu Temperaturen von 400 øC untersucht und stellt keine Einschränkung der Langzeitstabilität dar. Die entwickelte Metallisierung wurde anhand verschiedener Schaltungen erprobt und verifiziert.