Fraunhofer-Gesellschaft

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Anisotropic electron mobilities of Al0.3Ga0.7As/InxGa1-xAs/GaAs high electron mobility transistor structures.

Anisotrope Elektronenbeweglichkeit von Al0.3Ga0.7As/InxGa1-xAs/GaAs HEMT Strukturen
 
: Schweizer, T.; Ganser, P.; Köhler, K.

:

Semiconductor Science and Technology 6 (1991), pp.356-358 : Abb.,Lit.
ISSN: 0268-1242
ISSN: 1361-6641
English
Journal Article
Fraunhofer IAF ()
anisotrope Elektronenbeweglichkeit; anisotropic electron mobility; III-V Halbleiter; III-V material properties; III-V Materialeigenschaft; III-V semiconductors

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-4010.html