English
Deutsch
Log In
Password Login
or
Log in with Fraunhofer Smartcard
Research Outputs
Projects
Researchers
Institutes
Statistics
Fraunhofer-Gesellschaft
Home
Fraunhofer-Gesellschaft
Patente
Verfahren und Vorrichtung zum Dotieren von Halbleitern mittels Ionenimplantation
Details
Export
Statistics
Options
Title
Verfahren und Vorrichtung zum Dotieren von Halbleitern mittels Ionenimplantation
Date Issued
1980
Author(s)
Ryssel, H.
Patent No
1978-2835121
Language
de
Institute
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Link
http://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?DB=worldwide.espacenet.com&locale=en_EP&FT=D&CC=DE&NR=2835121A
Patenprio
DE 1978-2835121 A: 19780810