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1988
Conference Paper
Titel
Ammonia- und kohlenmonoxid-empfindliche MOS-Strukturen
Abstract
MOS-Transistoren mit spezieller Gate-Metallisierung wie strukturiertes Pd-Metall und SnO2 besitzen eine gute Kohlenmonoxid-Empfindlichkeit. Durch spezielle Strukturierung (wie Spalt-Strukturen) und die Anwendung spezieller Pd-Halbleiteroxid-Doppelschicht-Strukturen konnten die Eigenschaften des MOS-CO-Sensors so weit entwickelt werden,daß seine Eigenschaften hinsichtlich Querempfindlichkeit, Feuchtigkeitsempfindlichkeit usw. besser sind als die der kommerziell vertriebenen japanischen SnO2-Halbleiteroxid-Sensoren.
Konferenz