Fraunhofer-Gesellschaft

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Strukturelle und morphologische Erscheinungen bei der Rekristallisation von SIMOX-Wafern

 
: Vöhse, H.; Burbach, G.; Gassel, H.; Höch, A.

Deutsche Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung e.V. -DGKK-:
Jahrestagung der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung '91. Kurzfassung der Beiträge
Gießen, 1991
pp.47
Deutsche Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung (Jahrestagung) <1991, Gießen>
German
Conference Paper
Fraunhofer IMS ()
Elektronenmikroskopie; Rekristallisation; SIMOX-Wafer; SOI-Technologie

Abstract
Die auf SIMOX-Substraten (SIMOX: Separated by IMplanted OXigen) hergestellten VLSI-Bauelemente zeichnen sich durch höhere Integrationsdichte, höhere Schaltgeschwindigkeit und verbesserte Beständigkeit gegen hohe Temperaturen (bis ca. dreihundert Grad Celsius) und ionisierende Strahlung aus. Sie zeigen wesentlich verringerte Leckströme und insgesamt eine verringerte Leistungsaufnahme. Die Herstellung der Substrate am Fraunhofer-Institut Duisburg geschieht in zwei Schritten: Mit einem Hochstromimplanter vom Typ EATON NV 200 (zweihundert) werden fünfundzwanzig Wafer vier hoch n in nur sechs Komma fünf h mit einer Dosis von eins Komma sechs bis zwei Komma Null mal zehn hoch achtzehn cm hoch minus zwei implantiert (Substrattemperatur größer sechshundert Grad Celsius). In einem anschließenden thermischen Ausheilschritt von ähnlicher Dauer bei eintausendzweihundertfünfzig bis eintausenddreihundertfünfzig Grad Celsius wird die Struktur der Deckschicht rekonstituiert.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-35172.html