Schnelle Testverfahren zur Charakterisierung von Ausbeute und Zuverlässigkeit hochintegrierter Leitbahnsysteme

Es wurden ein Testchip und entsprechende Testverfahren entwickelt, die es gestatten, sowohl das Elektromigrationsverhalten von Metallisierungssystemen zu untersuchen, als auch Defektdichten und Defektgrößenverteilungen für Leitbahnsysteme zu bestimmen. Die automatischen Messungen werden auf Wafer-Level durchgeführt. Es werden sowohl Unterbrechungen von Leitbahnen als auch Kurzschlüsse innerhalb einer Metallebene und zwischen zwei Metallebenen registriert. Die Auswertesoftware liefert Wafermaps über die Defektdichte und nach Einbeziehung von Ausbeutemodellen die Abhängigkeit der Defektdichte vom Defektdurchmesser. Die Berechnung der Koordinaten der einzelnen Defekte ermöglicht ihre Lokalisierung und erleichtert so die Analyse der Ausfallursachen.