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Pyrometrische Interferometrie: Ein neues Werkzeug zur Prozeßkontrolle in schichtabscheidenden Prozessen

 
: Möller, H.; Böbel, F.G.

Seitzer, D. ; Institute of Electrical and Electronics Engineers -IEEE-, German Section; VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik -GME-; Informationstechnische Gesellschaft -ITG-:
Mikroelektronik. Vorträge der GME-Fachtagung 1993 : Vorträge der GME-Fachtagung
Berlin: VDE-Verlag, 1993 (GME-Fachbericht 11)
ISBN: 3-8007-1934-7
pp.469-474
Fachtagung Mikroelektronik <1993, Dresden>
German
Conference Paper
Fraunhofer IIS A ( IIS) ()
Halbleiterfertigung; in situ process control; in situ-Prozeßkontrolle; measurement of film thickness; pyrometric interferometry; pyrometrische Interferometrie; Schichtdickenmessung; semiconductor measurement system; temperature measurement; Temperaturmessung

Abstract
Mit der Pyrometriyschen Interferometrie (PI) steht ein neues Meßverfahren für parametergesteuerte (Prozeßtemperatur, Dotierungsverlauf, Schichtdicke u. v. a.) Prozeßregelung zur Verfügung. Die PI ermöglicht als erstes Verfahren die gleichzeitige "In-Situ"-Messung von Wafertemperatgur und Schichtdicke in Echtzeit. Die erzielbare Auflösung liegt mit bis zu 0.05 Kelvin bei der Temperatur und bis zu 0.5 Nanometern bei der Schichtdicke auf einem sehr hohen Niveau. Das Verfahren arbeitet rein optisch und kommt dabei ohne externe Strahlungsquelle aus. Dadurch ist es unempfindlich bezüglich Schwankungen in der Meßgeometrie wie z. B. Vibrationen des Aufbaus, Rotation oder Fehljustage des Wafers u. ä. Es ist anwendbar in Hochdruck- oder Vakuumumgebung, bei hohen Prozeßtemperaturen und aggressiven Prozeßgasen. Die Messung auf der Halbleiterscheibe erfolgt punktförmig, mit Hilfe einer entsprechenden Mechanik ist also auch die Bestimmung der lateralen Verteilung der Meßgrößen möglich.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-30286.html