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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. 14 GHz bandwidth MSM photodiode AlGaAs/GaAs HEMT monolithic integrated optoelectronic receiver.
 
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1993
Journal Article
Title

14 GHz bandwidth MSM photodiode AlGaAs/GaAs HEMT monolithic integrated optoelectronic receiver.

Other Title
Monolithisch integrierter optoelektronischer Empfänger mit einer Bandbreite von 14 GHz basierend auf einer MSM-Photodiode und AlGaAs/GaAs-HEMTs
Abstract
A monolithic optoelectronic receiver consisting of an MSM photodiode and a two-stage amplifier has been fabricated using an enhancement/depletion 0.3Mym recessed-gate AlGaAs/GaAs HEMT process. The bandwidth of 14.3GHz implies suitability for transmission rates of up to 20Gbit/s. The transimpedance is 670Omega (into 50Omega) and the projected sensitivity is - 16.4 dBm (BER is equal to 10highminus9).
Author(s)
Hurm, V.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Ludwig, M.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Rosenzweig, Josef  
Benz, W.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Berroth, M.
Bosch, R.
Bronner, Wolfgang  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Hülsmann, A.
Köhler, Klaus  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Raynor, B.
Schneider, J.
Journal
Electronics Letters  
Open Access
DOI
10.1049/el:19930006
Additional full text version
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Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • integrated optoelectronics

  • integrierte Optoelektronik

  • optical receivers

  • optischer Empfänger

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