Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Photoresponse of the EL2 absorption in undoped semi-insulating GaAs

 
: Fuchs, F.; Dischler, B.; Kaufmann, U.

Applied Physics Letters 48 (1986), No.19, pp.1282-1284 : Abb.,Lit.
ISSN: 0003-6951 (Print)
ISSN: 1077-3118
English
Journal Article
Fraunhofer IAF ()
absorption; EL2-Zentrum; Foto-Empfindlichkeit; GaAs

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-28429.html