Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Photoluminescence of neodymium-implanted gallium phosphide and gallium arsenide

 
: Mueller, H.D.; Schneider, J.; Axmann, A.; Ennen, H.

:

Journal of applied physics 59 (1986), No.6, pp.2210-2212 : Abb.,Lit.
ISSN: 0021-8979
ISSN: 1089-7550
English
Journal Article
Fraunhofer IAF ()
Defektkomplex; Erde(selten implantiert); III-V Halbleiter; Infra 4f-Uebergang; Infrarotemission; Photolumineszenz-Untersuchung

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-28411.html