Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Phonon softening in ultra heavily doped Si and Ge.

Phononschwaechung in ultra stark dotiertem Si und Ge
 
: Cardona, M.; Axmann, A.; Compaan, A.; Contreras, G.

Journal de physique 44 (1983), No.10, Beilage Colloque de physique, pp.197-201 : Abb.,Lit.
ISSN: 0302-0738
English
Journal Article
Fraunhofer IAF ()
350 Kiloelektronenvolt; Arsen; Bor; Gallium; Ionenimplantation; Mode(optisch); Phosphor; Ramanstreuung; Vielfachimpuls; Xenonchlor-Laser

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-28360.html