Publica

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Phonon softening in ultra heavily doped Si and Ge.

Phononschwaechung in ultra stark dotiertem Si und Ge

	Journal de physique 44 (1983), No.10, Beilage Colloque de physique, pp.197-201 : Abb.,Lit. ISSN: 0302-0738

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	Journal Article
	Fraunhofer IAF ()
	350 Kiloelektronenvolt; Arsen; Bor; Gallium; Ionenimplantation; Mode(optisch); Phosphor; Ramanstreuung; Vielfachimpuls; Xenonchlor-Laser