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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Phonon softening in ultra heavily doped Si and Ge.
 
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1983
Journal Article
Title

Phonon softening in ultra heavily doped Si and Ge.

Other Title
Phononschwaechung in ultra stark dotiertem Si und Ge
Author(s)
Cardona, M.
Axmann, A.
Compaan, A.
Contreras, G.
Journal
Journal de physique  
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • 350 Kiloelektronenvolt

  • Arsen

  • Bor

  • Gallium

  • Ionenimplantation

  • Mode(optisch)

  • Phosphor

  • Ramanstreuung

  • Vielfachimpuls

  • Xenonchlor-Laser

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