Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

4 nm gate dielectrics prepared by RTP low pressure oxidation in O2 and N2O atmosphere

 
: Bauer, A.J.; Burte, E.P.; Ryssel, H.

:

Microelectronics reliability 38 (1998), No.2, pp.213
ISSN: 0026-2714
English
Journal Article
Fraunhofer IIS B ( IISB) ()

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-2800.html