Abstract
Infrarot-Absorptions- und Photolumineszenz-Topographie ermöglicht eine einfache, schnelle und zerstörungsfreie Charakterisierung von Inhomogenitäten in GaAs LEC Wafern, epitaktischen und ionenimplantierten aktiven Schichten sowie von passivierten und reinen GaAs Oberflächen. Ein Vergleich mit anderen topographischen Methoden führt zu Modellen für die Natur der Inhomogenitäten. Die Verfahren können zur Charakterisierung des Substrates und zur prozeßbegleitenden Kontrolle eingesetzt werden.