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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Optische Topographie an GaAs - Wafern, -Schichten und -Oberflächen
 
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1987
Conference Paper
Title

Optische Topographie an GaAs - Wafern, -Schichten und -Oberflächen

Abstract
Infrarot-Absorptions- und Photolumineszenz-Topographie ermöglicht eine einfache, schnelle und zerstörungsfreie Charakterisierung von Inhomogenitäten in GaAs LEC Wafern, epitaktischen und ionenimplantierten aktiven Schichten sowie von passivierten und reinen GaAs Oberflächen. Ein Vergleich mit anderen topographischen Methoden führt zu Modellen für die Natur der Inhomogenitäten. Die Verfahren können zur Charakterisierung des Substrates und zur prozeßbegleitenden Kontrolle eingesetzt werden.
Author(s)
Wettling, W.
Windscheif, J.
Mainwork
Arbeitskreis Röntgentopographie. Röto '87. Vorträge  
Conference
Arbeitskreis Röntgentopographie (Tagungsbericht) 1987  
Language
German
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • epitaktische Schicht

  • GaAs

  • optische Charakterisierung

  • Photolumineszenz

  • topographische Charakterisierung

  • transmission

  • Waferschicht

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