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1.54-micro m luminescence of erbium-implanted III-V semiconductors and silicon.

1.54 micro m Lumineszenz von Erbium implantierten III-V Halbleitern und Silizium

	Applied Physics Letters 43 (1983), No.10, pp.943-945 : Abb.,Lit. ISSN: 0003-6951 ISSN: 1077-3118

	English
	Journal Article
	Fraunhofer IAF ()
	Erbium(implantiert); Galliumarsenid; Galliumphosphid; Indiumphosphid; Kristallfeldaufsplitterung; Linienbreite; Lumineszenz; Silizium; Spektren; Spinbahnaufspaltung