Fraunhofer-Gesellschaft

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1.54-micro m luminescence of erbium-implanted III-V semiconductors and silicon.

1.54 micro m Lumineszenz von Erbium implantierten III-V Halbleitern und Silizium
 
: Schneider, J.; Pomrenke, G.; Axmann, A.; Ennen, H.

:

Applied Physics Letters 43 (1983), No.10, pp.943-945 : Abb.,Lit.
ISSN: 0003-6951
ISSN: 1077-3118
English
Journal Article
Fraunhofer IAF ()
Erbium(implantiert); Galliumarsenid; Galliumphosphid; Indiumphosphid; Kristallfeldaufsplitterung; Linienbreite; Lumineszenz; Silizium; Spektren; Spinbahnaufspaltung

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-2711.html