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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. 1.54-micro m luminescence of erbium-implanted III-V semiconductors and silicon.
 
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1983
Journal Article
Title

1.54-micro m luminescence of erbium-implanted III-V semiconductors and silicon.

Other Title
1.54 micro m Lumineszenz von Erbium implantierten III-V Halbleitern und Silizium
Author(s)
Schneider, J.
Pomrenke, G.
Axmann, A.
Ennen, H.
Journal
Applied Physics Letters  
DOI
10.1063/1.94190
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • Erbium(implantiert)

  • Galliumarsenid

  • Galliumphosphid

  • Indiumphosphid

  • Kristallfeldaufsplitterung

  • Linienbreite

  • Lumineszenz

  • Silizium

  • Spektren

  • Spinbahnaufspaltung

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