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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten. Nd-YAG laser annealing of arsenic-implanted silicon - dependence upon scanning speed and power density.
Nd-YAG Laserausheilung von Arsen implantiertem Silizium - Abhaengigkeit von Scangeschwindigkeit und Leistungsdichte
| Journal of applied physics 52 (1981), pp.4775-4779 : Abb.,Lit.
ISSN: 0021-8979
ISSN: 1089-7550 |
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| English |
| Journal Article |
| Fraunhofer IFT; 2000 dem IZM eingegliedert |
| Arsen; implantation; Laserannealing; Silizium |