Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Nd-YAG laser annealing of arsenic-implanted silicon - dependence upon scanning speed and power density.

Nd-YAG Laserausheilung von Arsen implantiertem Silizium - Abhaengigkeit von Scangeschwindigkeit und Leistungsdichte
 
: Tsien, P.H.; Ryssel, H.; Roeschenthaler, D.; Ruge, I.

Journal of applied physics 52 (1981), pp.4775-4779 : Abb.,Lit.
ISSN: 0021-8979
ISSN: 1089-7550
English
Journal Article
Fraunhofer IFT; 2000 dem IZM eingegliedert
Arsen; implantation; Laserannealing; Silizium

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-25502.html