Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Molekularstrahlepitaxieanlage

Molecular beam epitaxy facility
 
: Bachem, K.H.; Koehler, K.; Hofmann, P.

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Frontpage ()

DE 1987-3715644 A: 19870511
DE 1987-3715644 A: 19870511
DE 3715644 C2: 19900208
C30B0023
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IAF ()

Abstract
Bei einer Molekularstrahlepitaxieanlage wird an der zum Substrat (1) weisenden Seite der Gasquelle (5) ein Gasquellenkopf (11) vorgesehen, der eine Leitkanalstruktur mit einer Vielzahl von Bohrungen (14) aufweist, durch die ein Molekularstrahlbuendel (6) mit einem erwuenschten Dichteprofil in einer erwuenschten Richtung erzeugt wird, so dass auf der Substratflaeche (7) des Substrates (1) eine homogene Deposition erfolgt, ohne dass grosse Gasmengen am Substrat (1) vorbeistroemen und verlorengehen.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-24946.html