Fraunhofer-Gesellschaft

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Modulation doped inverted and normal GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures - influence of Si-segregation on the two-dimensional electron gas.

Modulationsdotierte invertierte und normal GaAs/AlxGa1-xAs Heterostrukturen - Einfluß der Si-Segregation auf das zweidimensionale Elektronengas
 
: Bachem, K.H.; Ganser, P.; Köhler, K.; Maier, M.

Journal of Crystal Growth 111 (1991), pp.295-299 : Abb.,Lit.
ISSN: 0022-0248
English
Journal Article
Fraunhofer IAF ()
electrical property; elektrische Eigenschaft; III-V Halbleiter; III-V semiconductors; MBE

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-24815.html