Fraunhofer-Gesellschaft

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Modelling and characterization of high-speed GaAs and In0.35Ga0.65As multiple-quantum-well laser diodes

Modellierung und Charakterisierung von Hochgeschwindigkeits-GaAs und In0.35Ga0.65As Multiple-Quantum-Well-Laserdioden
 

:

Institute of Electrical and Electronics Engineers -IEEE-:
LEOS '92. Conference Proceedings
New York/N.Y., 1992
pp.189-190 : Abb.,Lit.
IEEE Lasers and Electro-Optics Society (Annual Meeting) <5, 1992, Boston/Mass.>
English
Conference Paper
Fraunhofer IAF ()
facet reflectivity; Halbleiterlaserdiode; high-speed direct modulation; Hochfrequenzdirektmodulation; semiconductor laser; Spiegelreflektivität

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-24625.html