Modellierung des dynamischen Verhaltens von Kurzkanal MOS-FETs

MOS-Modelle für Hochfrequenzsimulation sollten neben den Gleichstromkennlinien auch das dynamische Verhalten hinreichend genau beschreiben. Ein Verfahren zur Groß- und Kleinsignalsimulation besteht in der Modellierung des Hochfrequenzverhaltens durch Unterteilung des Kanals. Simulationen wie auch Streuparametermessungen zeigen, daß in den meisten Fällen ein 2-Transistormodell eine ausreichend gute Näherung darstellt. Dies erlaubt hinreichend genaue Simulationen bis zur Transistorfrequenz des MOS-Transistors sowohl im Zeit- wie auch im Frequenzbereich und ermöglicht eine gute Modellierung des statischen Verhaltens bis zu Knallängen von 1 mym. Thema des Vortrags ist die Vorstellung eines Kurzkanal-Transistors anhand gemessener und simulierter Kennlinien einschließlich der wichtigsten Kleinsignalkapazitäten. Aufbauend auf diesem Modell werden gemessene Streuparameter mit denen des 2-Transistormodells verglichen.