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Modellierung des dynamischen Verhaltens von Kurzkanal MOS-FETs

	Charakterisierung und Modellierung von Halbleiterbauelementen mit Sub-Mikrometer-Strukturen und/oder extrem hohen Operationsgeschwindigkeiten : Sammlung der Kurzfassungen Duisburg, 1992
	Diskussionssitzung "Charakterisierung und Modellierung von Halbleiterbauelementen mit Sub-Mikrometer-Strukturen und/oder extrem hohen Operationsgeschwindigkeiten" <1992, Schwäbisch-Hall>

	German
	Conference Paper
	Fraunhofer IMS, Außenstelle Dresden ( IPMS) ()
	bipolar modelling; gallium arsenide; Galliumarsenid; high frequency; Hochfrequenz; Kompaktmodellierung; modelling; Modelluntersuchung; MOS-FET; MOS-Modellierung; Schaltung; transistor model; Transistormodell; zweidimensionale Modellierung

Abstract
MOS-Modelle für Hochfrequenzsimulation sollten neben den Gleichstromkennlinien auch das dynamische Verhalten hinreichend genau beschreiben. Ein Verfahren zur Groß- und Kleinsignalsimulation besteht in der Modellierung des Hochfrequenzverhaltens durch Unterteilung des Kanals. Simulationen wie auch Streuparametermessungen zeigen, daß in den meisten Fällen ein 2-Transistormodell eine ausreichend gute Näherung darstellt. Dies erlaubt hinreichend genaue Simulationen bis zur Transistorfrequenz des MOS-Transistors sowohl im Zeit- wie auch im Frequenzbereich und ermöglicht eine gute Modellierung des statischen Verhaltens bis zu Knallängen von 1 mym. Thema des Vortrags ist die Vorstellung eines Kurzkanal-Transistors anhand gemessener und simulierter Kennlinien einschließlich der wichtigsten Kleinsignalkapazitäten. Aufbauend auf diesem Modell werden gemessene Streuparameter mit denen des 2-Transistormodells verglichen.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-24592.html