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MBE growth of In0.35Ga0.65As/GaAs MQWs for high-speed lasers - relaxation limits and factors influencing dislocation glide

MBE-Wachstum von In0.35Ga0.65As/GaAs MQWs für Hochgeschwindigkeits-Laser-Dioden - Relaxationsgrenzen und Faktoren, die Bewegungen von Versetzungen beeinflussen

: Larkins, E.C.; Baeumler, M.; Wagner, J.; Bender, G.; Herres, N.; Maier, M.; Rothemund, W.; Fleissner, J.; Jantz, W.; Ralston, J.D.; Flemig, G.; Brenn, R.

	Rupprecht, H.S.; Weimann, G.: Gallium arsenide and related compounds 1993. Proceedings Bristol: IOP Publishing, 1994 (Institute of Physics - Conference Series 136) ISBN: 0-7503-0295-X pp.523-528
	International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds <20, 1993, Freiburg/Brsg.>

	English
	Conference Paper
	Fraunhofer IAF ()
	dislocation; GaAs; InGaAs; MBE; MQW; Versetzung