Fraunhofer-Gesellschaft

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MBE growth of In0.35Ga0.65As/GaAs MQWs for high-speed lasers - relaxation limits and factors influencing dislocation glide

MBE-Wachstum von In0.35Ga0.65As/GaAs MQWs für Hochgeschwindigkeits-Laser-Dioden - Relaxationsgrenzen und Faktoren, die Bewegungen von Versetzungen beeinflussen
 

Rupprecht, H.S.; Weimann, G.:
Gallium arsenide and related compounds 1993. Proceedings
Bristol: IOP Publishing, 1994 (Institute of Physics - Conference Series 136)
ISBN: 0-7503-0295-X
pp.523-528
International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds <20, 1993, Freiburg/Brsg.>
English
Conference Paper
Fraunhofer IAF ()
dislocation; GaAs; InGaAs; MBE; MQW; Versetzung

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-23019.html