Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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MBE growth of GaAs-based pseudomorphic lasers - key growth trade-offs between the InGaAs MQWs and the AlGaAs cladding.

MBE-Wachstum von pseudomorphen Laserdioden auf GaAs - wichtige Wachstumsabhängigkeiten zwischen den InGaAs MQWs und den AlGaAs-Cladding
 

Institute of Electrical and Electronics Engineers -IEEE-:
LEOS 1994. Summer Topical Meetings. Proceedings
New York/N.Y., 1994
Optoelectronic Materials Growth and Processing <1994, Lake Tahoe/Nev.>
English
Conference Paper
Fraunhofer IAF ()
MBE; point defects; pseudomorphe Laserdiode; pseudomorphic laser; Punktdefekt

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-23018.html