Fraunhofer-Gesellschaft

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Low temperature photoluminescence topography of MOCVD-grown InGaP, AlGaAs and AlGaAs/GaAs single quantum wells.

Photolumineszenz-Topographie von epitaktischem InGaP, AlGaAs und von AlGaAs/GaAs Quantenschichten, abgeschieden mit MOCVD
 

:

Semiconductor Science and Technology 7 (1992), No.1, pp.A27-A31 : Abb.,Lit.
ISSN: 0268-1242
ISSN: 1361-6641
Defect Recognition in Semiconductors Before and After Processing <4, 1991, Wilmslow>
English
Conference Paper
Fraunhofer IAF ()
chemical vapour deposition; layer-composition; layer-thickness; MOCVD; photoluminescence topography; Photolumineszenztopographie; quantum wells; Schichtdicke; Schichtzusammensetzung

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-22496.html