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Low temperature photoluminescence topography of MOCVD-grown InGaP, AlGaAs and AlGaAs/GaAs single quantum wells.

Photolumineszenz-Topographie von epitaktischem InGaP, AlGaAs und von AlGaAs/GaAs Quantenschichten, abgeschieden mit MOCVD

	Semiconductor Science and Technology 7 (1992), No.1, pp.A27-A31 : Abb.,Lit. ISSN: 0268-1242 ISSN: 1361-6641
	Defect Recognition in Semiconductors Before and After Processing <4, 1991, Wilmslow>

	English
	Conference Paper
	Fraunhofer IAF ()
	chemical vapour deposition; layer-composition; layer-thickness; MOCVD; photoluminescence topography; Photolumineszenztopographie; quantum wells; Schichtdicke; Schichtzusammensetzung