Leistungsschaltung mit einer integrierten CMOS- oder Bipolar-Schaltung und Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung
Date Issued
1990
Author(s)
Vogt, Holger
Patent No
1989-3905149
Abstract
Bei einer Leistungsschaltung mit integrierter CMOS- oder Bipolar-Schaltung, die auf einer durch eine vergrabene Isolationsschicht isolierten Halbleiterinsel angeordnet ist, wird eine verbesserte Spannungsfestigkeit bei geringerem Uebersprechen dadurch erreicht, dass die vergrabene Isolationsschicht in einem Halbleiterbereich liegt, dessen Dotierung entgegengesetzt zu der des an den Halbleiterbereich angrenzenden Halbleitermaterials ist.