Publica

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The lateral-extension of radiation damage in ion-implanted semiconductors.

Seitliche Ausdehnung des Strahlungsschadens in ionenimplantierten Halbleitern

	Applied physics. A (1983), No.32, pp.129-134 : Abb.,Tab.,Lit. ISSN: 0340-3793 ISSN: 0721-7250 ISSN: 0947-8396

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	Journal Article
	Fraunhofer IAF ()
	Galliumarsenid; Galliumphosphid; implantation; Packungsfehler; Rasterelektronenmikroskop; Rekristallisation; Schicht(amorph); Silizium; Strahlungsschaden