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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. The lateral-extension of radiation damage in ion-implanted semiconductors.
 
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1983
Journal Article
Title

The lateral-extension of radiation damage in ion-implanted semiconductors.

Other Title
Seitliche Ausdehnung des Strahlungsschadens in ionenimplantierten Halbleitern
Author(s)
Fritzsche, C.R.
Rothemund, W.
Journal
Applied physics. A  
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • Galliumarsenid

  • Galliumphosphid

  • implantation

  • Packungsfehler

  • Rasterelektronenmikroskop

  • Rekristallisation

  • Schicht(amorph)

  • Silizium

  • Strahlungsschaden

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