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Lasergestützte Schichtabscheidung zur Herstellung funktionaler Schichten in Mikrosystemtechnik und Mikroelektronik

 

Waidelich, W.; Hügel, H.; Opower, H.; Tiziani, H.; Wallenstein, R.; Zinth, W.:
Laser in Forschung und Technik. Vorträge des 12. Internationalen Kongresses Laser 95
Berlin: Springer, 1996
ISBN: 3-540-61316-1
pp.1053-1056 : Ill., Lit.
Internationaler Kongreß Laser <12, 1995, München>
German
Conference Paper
Fraunhofer ILT ()
lasergestützte Schichtabscheidung

Abstract
Durch Laserverfahren können Funktionsschichten bei niedrigen Temperaturen auf beinahe beliebige Substrate abgeschieden werden. Die Vorteile der Laserverfahren sind : stöchiometrische Schichterzeugung, Abscheidung und Strukturierung mit einem Werkzeug, lokale Abscheidung auch auf vorprozessierten Bauteilen, hohe Abscheideraten, hohe Flexibilität in Schicht- und Substratwahl. Leitende Metallschichten lassen sich dabei sowohl durch Laser-CVD aus der Dampfphase als auch durch Abscheiden aus der Flüssigphase herstellen. Die durch PLD erzeugten Schichten auf der Basis ferroelektrischer Bariumtitanstrukturen können dabei sowohl amorph als auch bei Temperaturen von nur wenig über 500 Grad C ferroelektrisch sein. Damit eignet sich das Verfahren für ein selektives Beschichten von vorbehandelten Siliziumwafern zum Erzeugen monolitischer Sensorbausteine.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-21646.html