Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

Kombinierte RAM/PROM Speicherzellen in kalibrierbaren Sensorschaltungen

 

Glesner, M.; John, W. ; Gesellschaft für Informatik -GI-, Fachgruppe 3.5.6 Entwurf und Realisierung von Mikrosystemen; Informationstechnische Gesellschaft -ITG-, Fachgruppe Entwurf von Analogen Schaltungen; VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik, Mikro- und Feinwerktechnik -GMM-, Fachausschuß Informationstechnik für Mikrosysteme:
3. Workshop Methoden und Werkzeuge zum Entwurf von Mikrosystemen mit dem Schwerpunkt Methoden zum Entwurf, zur Integration und Parametrisierung von Komponenten für applikationsspezifische integrierte Mikrosysteme 1996. Tagungsband
Paderborn: IDS, 1996
ISSN: 0947-1413
pp.196-201 : Lit.
Workshop Methoden- und Werkzeugentwicklung für den Mikrosystementwurf <3, 1996, Frankfurt/Main>
German
Conference Paper
Fraunhofer IMS ()
Elektromigration; Kalibrierung; pn-Halbleiterdiode; programmierbarer Festwertspeicher; Speicherzelle; SRAM

Abstract
Für den Einsatz in Sensorsystemen werden Speicherzellen vorgestellt, die zunächst während der Ermittlung der benötigten Einstellungen als RAM betrieben werden und nach Abschluß der Kalibration durch einen Brennvorgang in ROM-Zellen umgewandelt werden können. Als nicht flüchtiges Speicherelement wird eine Zener-Zapping-Diode eingesetzt, die sich ohne Prozeßerweiterungen in einen Standard-CMOS-Prozeß realisieren läßt. Für den Brennvorgang wird ein Programmierstrom vom 18 mA bei einem Spannungsabfall von 6.8V an den Zener-Zapping-Dioden benötigt.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-20636.html