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Title
Ionenquelle fuer eine Ionenstrahlanlage
Date Issued
1999
Author(s)
Schork, R.
Ryssel, H.
Patent No
1996-19618733
1996-19618734
1997-19700856
1996-19602283
Abstract
(B1) Vorrichtung zur grossflaechigen Implantation von Ionen in eine Probe (104), mit einer Anode (106); einer Kathode (108), die aus demselben Material, aus dem die Probe (104) besteht, zu der Ionen aus der Ionenquelle (100) abgegeben werden, hergestellt ist oder mit diesem beschichtet ist, oder aus einem Material hergestellt ist, das fuer die Probe (104) keine Kontamination darstellt; und einem zwischen der Anode (106) und der Kathode (108) angeordneten Plasmaraum (110); dass der Plasmaraum geschlossen ist; dass die Kathode (108) eine Multischlitzstruktur (200; 300) mit nebeneinanderliegenden Schlitzen, die durch Stege getrennt sind, umfasst, die von den Ionen durchlaufen wird, und so ein Multibandstrahl erzeugt wird; und dass an die Kathode oder an nachfolgende Multischlitzstrukturen zur Extraktion und Beschleunigung des Multi-bandstrahls eine Spannung zur Erzeugung eines senkrecht zum Ionenstrahl liegenden elektrischen Feldes derart anlegbar ist, dass die Stege unterschiedliche Polaritaeten aufweisen.
The ion source (900) is positioned with an optical unit (102) to directions on to a specimen surface (104). The ion source has an anode (106) coupled to ground and a cathode (108) coupled to a high voltage (UHF). The cathode is in the form of a grating. Both anode and cathode are of the same material as the specimen and do not contain contamination. Between the anode and the cathode is a plasma space (110) into which a reactive gas is drawn (112). USE/ADVANTAGE - Ion implantation, surface treatment. Avoids contamination of specimen.
Language
de
Patenprio
DE 1996-19618733 A: 19960509