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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Integrierte Mikrowellenschips für die Kommunikationstechnik
 
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1996
Journal Article
Title

Integrierte Mikrowellenschips für die Kommunikationstechnik

Abstract
Mit überzeugenden Lösungen für Schlüsselkomponenten der Mobilkommunikation und Höchstfrequenzsensorik ging nach fünfjähriger Laufzeit ein vom Bundesministerium für Bildung, Wissenschaft, Forschung und Technologie (BMBF) gefördertes Verbundprojekt zu Ende. Einige Ergebnisse haben bereits schon jetzt Eingang in Produkte der III/V-Halbleitertechnologie gefunden, die für viele innovative Informations- und Kommunikationssysteme von besonderer Bedeutung ist. Bekanntester Vertreter dieser Technik ist der Verbindungshalbleiter Galliumarsenid (GaAs), der die Basis bildet für integrierte Höchstfrequenzschaltkreise z. B. für Funkanwendungen, für Telekom-Schaltungen zur optischen Nachrichtenübertragung und für digitale Schaltkreise zur ultraschnellen verlustleistungsarmen Signalverarbeitung.
Author(s)
Diehl, R.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Journal
NTZ. Innovationen der Kommunikationstechnik  
Language
German
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • GaAs

  • MMIC

  • monolithischer Mikrowellenschaltkreis

  • OEIC

  • selektive Epiaxie

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