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1995
Conference Paper
Titel
Hochtemperaturtaugliche Mikrosystemkomponenten in SOI-Technologie
Abstract
Durch den Einsatz der SIMOX-Technologie sind hochtemperaturtaugliche Schaltungen für den Einsatz bei Betriebstemperaturen bis 300øC möglich. Durch ein spezielles Transistor Layout werden außerdem Spannungsfestigkeiten bis zu einer Drain-Source-Spannung von 30V erreicht. Meßergebnisse an Zener-Dioden, Betriebsspannungsstabilisierung, Operationsverstärkern und einem Taktgenerator bei einer Betriebstemperatur von 300øC werden vorgestellt.