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Hochtemperaturtaugliche Mikrosystemkomponenten in SOI-Technologie

: Verbeck, M.; Fiedler, H.-L.; Burbach, G.; Bahr, J.; Werner, R.; Zimmermann, C.

	Barke, E. ; VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik -GME-: Mikroelektronik '95 : Vorträge der GME-Fachtagung Berlin: VDE-Verlag, 1995 (GME-Fachbericht 15) ISBN: 3-8007-2085-X pp.311-316
	VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik (Fachtagung) <1995, Baden-Baden>

	German
	Conference Paper
	Fraunhofer IMS ()
	Hochtemperaturtauglichkeit; Hochtemperaturtechnik; Mikrosystemkomponenten; Operationsverstärker; SIMOX-Technologie; Spannungsstabilisierung; Zener-Diode

Abstract
Durch den Einsatz der SIMOX-Technologie sind hochtemperaturtaugliche Schaltungen für den Einsatz bei Betriebstemperaturen bis 300øC möglich. Durch ein spezielles Transistor Layout werden außerdem Spannungsfestigkeiten bis zu einer Drain-Source-Spannung von 30V erreicht. Meßergebnisse an Zener-Dioden, Betriebsspannungsstabilisierung, Operationsverstärkern und einem Taktgenerator bei einer Betriebstemperatur von 300øC werden vorgestellt.