Fraunhofer-Gesellschaft

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High-speed long-wavelength monolithic integrated photoreceivers grown on GaAs

Hochgeschwindigkeitslangwellenlänge monolithisch integrierter Photoempfänger, gewachsen auf GaAs
 

Network GmbH, Hagenburg:
MIOP '97. Mikrowellen und Optronik. Kongreßunterlagen
Hagenburg: Network GmbH, 1997
ISBN: 3-924651-53-1
pp.322-326 : Ill., Lit.
Kongreßmesse für Hochfrequenztechnik, Funkkommunikation und Elektromagnetische Verträglichkeit (MIOP) <9, 1997, Sindelfingen>
English
Conference Paper
Fraunhofer IAF ()
monolithic integration; monolithische Integration; optoelectronics; Optoelektronik; Photoempfänger; photoreceiver

Abstract
The first 20 Gbit/s 1.3-1.55 mu m wavelength monolithic integrated photoreceiver grown on GaAs substrate has been fabricated using a 0.3 mu m gate length AlGaAs/GaAs HEMT process. At a wavelength of 1.3 mu m the integrated InGaAs MSM photodiode has a responsivity of 0.32 A/W and the photoreceiver has a -3 dB bandwidth of 16.5 GHz. Clearly-opened eye diagrams for a 20 Gbit/s 1.55 mu m optical data stream have been demonstrated.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-17165.html