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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. High-frequency characterization of 30 GHz p-type modulation-doped In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasers
 
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1992
Conference Paper
Title

High-frequency characterization of 30 GHz p-type modulation-doped In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasers

Other Title
Hochfrequenzcharakterisierung von p-modulationsdotierten In0.35Ga0.65As/GaAs-MQW-Lasern mit einer Modulationsbandbreite von 30 GHz
Author(s)
Weisser, S.
Ralston, J.D.
Larkins, E.C.
Esquivias, I.
Tasker, P.J.
Fleissner, J.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Rosenzweig, Josef  
Mainwork
International Electron Devices Meeting '92. Technical Digest  
Conference
International Electron Devices Meeting 1992  
DOI
10.1109/IEDM.1992.307531
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • Dämpfungsrate

  • damping rate

  • Halbleiterlaserdiode

  • high-frequency direct modulation

  • Hochfrequenzdirektmodulation

  • semiconductor laser

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