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High-frequency characterization of 30 GHz p-type modulation-doped In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasers

Hochfrequenzcharakterisierung von p-modulationsdotierten In0.35Ga0.65As/GaAs-MQW-Lasern mit einer Modulationsbandbreite von 30 GHz

	Institute of Electrical and Electronics Engineers -IEEE-: International Electron Devices Meeting '92. Technical Digest New York/N.Y.; Piscataway/N.J., 1992 ISBN: 0-7803-0817-4 pp.1009-1011 : Abb.
	International Electron Devices Meeting <1992, San Francisco/Calif.>

	English
	Conference Paper
	Fraunhofer IAF ()
	Dämpfungsrate; damping rate; Halbleiterlaserdiode; high-frequency direct modulation; Hochfrequenzdirektmodulation; semiconductor laser