Fraunhofer-Gesellschaft

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Halbleiterelement mit einer integrierten Induktivitaet und Verfahren zu seiner Herstellung

Semiconductor component with an integrated inductance
 
: Faul, R.

:
Frontpage ()

DE 1988-3842112 A1: 19881214
DE 1989-3941323 A: 19891214
DE 3941323 C2: 19949421
H01L0027
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IZM ()

Abstract
Beschrieben wird ein Halbleiterelement mit einer integrierten Induktivitaet, die durch erste Bereiche mit einer ersten Leitfaehigkeit in einem Substrat einer zweiten Leitfaehigkeit gebildet wird, die wesentlich kleiner als die erste Leitfaehigkeit ist, bei dem die ersten Bereiche eine laengliche Form haben, und entlang einer in einer Hauptoberflaeche liegenden Linie voneinander in Richtung dieser Linie beabstandet sowie in wenigstens zwei Ebenen uebereinander angeordnet sind, und die in unterschiedlichen Ebenen liegenden ersten Bereiche zur Bildung eines annaehernd geschlossenen Linienzugs von gut leitenden Bereichen durch annaehernd senkrecht zu der in einer der Hauptoberflaeche liegenden Linie verlaufenden zweiten Bereiche zu teilweise geschlossenen Bereichen miteinander verbunden sind. Das erfindungsgemaesse Element zeichnet sich dadurch aus, dass zur Bildung einer variablen Induktivitaet Transistoren wenigstens mit einem der ersten Bereiche verbunden sind.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-16635.html