Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

Halbleiterdiodenlaser

Semiconductor diode laser
 
: Tacke, M.; Shani, Y.; Preier, H.M.

:
Frontpage ()

DE 1987-3737191 A: 19871103
DE 1987-3737191 A: 19871103
DE 3737191 C2: 19900607
H01S0003
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IPM ()

Abstract
Bei einem Halbleiterdiodenlaser mit einem verstaerkenden aktiven Teil (6) und einem vom Licht des aktiven Teil beaufschlagten passiven Teil (7) ist vorgesehen, dass die aus der Heizung durch die Stromquelle und die Kuehlung durch die Kopplungen mit dem Kuehlsockel (4) resultierenden Waermebilanzen beim Abstimmen des Lasers durch Veraendern des Speisestroms am Arbeitspunkt unterschiedliche Temperaturveraenderungen im passiven (7) und aktiven Teil (6) so bewirken, dass bei einem passiven Teil (7) in Gestalt eines DBR-Reflektors die Stromabstimmrate der DBR-Resonanzfrequenz kleiner oder gleich der Stromabstimmrate der Moden ist und dass bei einem breitbandigen passiven Teil die Stromabstimmrate der Moden des Gesamtresonators in etwa gleich der Stromabstimmrate der Verstaerkung ist.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-16634.html