Fraunhofer-Gesellschaft

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Halbleitender Gassensor

Semi-conductive gas sensor
 
: Zimmer, G.; Dobos, K.

:
Frontpage ()

DE 1988-3807603 A: 19880308
DE 1988-3807603 A: 19880308
DE 3807603 A1: 19890928
G01N0027
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IMS ()

Abstract
Beschrieben wird ein Gassensor, der aus einer Elektrode-Isolator-Halbleiterstruktur mit direkt oder indirekt heizbarer Gate-Elektrode aufgebaut ist. Bei einer bevorzugten Ausfuehrungsform besteht der Gassensor aus einem MOS-FET-Transistor, dessen Gate-Elektrode als heizbarer Widerstand ausgebildet ist, der eine muldenfoermige Isolationsschicht brueckenfoermig ueberspannt und mit ihr einen Hohlraum bildet. Dadurch liegt die gasempfindliche Schicht zwischen der Gate-Elektrode und der Oxidschicht frei und ist fuer Messung unterschiedlicher Gase zugaenglich. Durch die heizbare Elektrode wird ein Aufheizen des gesamten MOS-FET-Transistors vermieden, wodurch seine Lebensdauer und die O-Punkt-Drift vermindert werden.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-16626.html