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Gitterdeformation in Silicium nach Implantationen von Phosphor

	Deutsche Physikalische Gesellschaft e.V. -DPG-, Bad Honnef: Jahrestagung der DPG 1995 Bad Honnef, 1995
	Deutsche Physikalische Gesellschaft (Jahrstagung) <1995, Berlin>

	German
	Conference Paper
	Fraunhofer IIS B ( IISB) ()
	crystal damage; Gitterdeformation; Gitterschädigung; ion implantation; Ionenimplantation; lattice strain; Röntgendiffraktometrie; Tagaki-Taupin Theorie; Tagaki-Taupin theory; x-ray diffractometry

Abstract
Mit Hilfe eines hochauflösenden Röntgendiffraktometers wurden Proben monokristallinen Siliciums auf implantationsbedingte Gitterdeformation untersucht. Die Proben waren mit Energien von 80 keV, 570 deV und 1 MeV mit Phosphordosen unter- und oberhalb der Amorphisierungsschwelle implantiert und ausgeheilt worden. Eine Simulation basierned auf der Tagaki-Taupin-Theorie ergab, daß die Gitterdeformation aus zwei Bändern aufgebaut ist: Oberflächennah ist das Gitter unter Einfluß der implantierten Phosphoratome kontrahiert, im tiefer liegenden Band führen End of Range (EOR)-Defekte zu einer Gitterexpansion. Schichtweiser Probenabtrag bestätigte dieses Ergebnis.