Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

Evidence of amphoteric behavior of Si in VPE InP.

Nachweis von amphoterischem Verhalten des Si in InP, das mit Dampfphasenepitaxie hergestellt wurde
 
: Pomrenke, G.S.

Journal of Crystal Growth (1983), No.64, pp.158-164 : Abb.,Lit.
ISSN: 0022-0248
English
Journal Article
Fraunhofer IAF ()
Akzeptor; Dampfphasenepitaxie; Donator; Eindringtiefe; Indiumphosphid; Ionisationsenergie; Photolumineszenz; Selbstkompensation; Silizium; Übergang; Ultraviolettanregung

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-13330.html