Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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ESR of defects in III-V compounds

ESR von Defektstellen in III-V Verbindungen
 
: Schneider, J.

Mahajan, S. ; Materials Research Society -MRS-:
Defects in semiconductors II : Symposium held November 1982 in Boston, Mass., USA
New York: North-Holland, 1983 (Materials Research Society symposia proceedings 14)
ISBN: 0-444-00812-8
pp.225-235
Symposium Defects in Semiconductors <1982, Boston/Mass.>
English
Conference Paper
Fraunhofer IAF ()
3-5 Verbindungen; Antisitedefekt; Defektstelle(tief); Elektronenspinresonanz; GaAs; GaP; InP; Materialtechnologie; Übergangsmetall(3d); Zentrum(strahlungsbedingt)

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-13139.html