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1988
Conference Paper
Titel
Erfahrungen mit AlN-Substratmaterial
Abstract
Der dem Silizium sehr ähnliche Ausdehnungskoeffizient von AlN-Keramik und die hohe Wärmeleitfähigkeit machen dieses Material für den Einsatz in der Mikroelektronik sehr interessant. Ein Vergleich verschiedener AlN-Hersteller zeigt vor allem Unterschiede bei der Wahl der Sinterhilfsmittel und der Art des Sinterprozesses. Ein Vergleich eines Standardpastensystems (DuPont) mit einer speziellen Neuentwicklung (Shoei) beweist die Notwendigkeit einer Anpassung der Pasten an die AlN-Keramik. Metallisierungen in Dünnfilmtechnik sind in vergleichbarem Standard zu Al2O3 möglich. (IFT)
Konferenz
Language
German